金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种重要的电子器件，广泛应用于数字电路、模拟电路及功率放大器等领域。其独特的结构和高效的工作原理使得MOSFET成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。

MOSFET的基本结构

MOSFET主要由以下几个部分组成：

源极

源极是MOSFET的主要输入端，在n型MOSFET中，源极是n型半导体。而在p型MOSFET中，源极是p型半导体。电流从源极流入MOSFET。

漏极

漏极是MOSFET的输出端，与源极相对。在n型MOSFET中，漏极为n型半导体；在p型MOSFET中，漏极为p型半导体。电流从漏极流出MOSFET。

栅极

栅极是MOSFET的控制端，通常由金属或掺杂半导体材料制成，覆盖在一个薄氧化层（通常是二氧化硅）上。栅极通过施加电压，控制源极与漏极之间的电流流动。

基区

基区是MOSFET的底层，通常是一个较大的p型或n型半导体（取决于器件类型）。它为MOSFET提供了所需的电性能和基础。

MOSFET的工作原理

MOSFET的工作主要依赖于栅极电压的变化。根据栅极电压的不同，MOSFET可以处于不同的工作状态。

n型MOSFET的工作原理

在n型MOSFET中，当为栅极施加一个正电压时，栅极电场将在基区中诱导出一个电子丰度层（称为反型层），使得源极与漏极之间形成一条导电通道。此时，电子可以从源极流向漏极，MOSFET处于导通状态。

如果将栅极电压降低至阈值电压以下，导电通道将消失，MOSFET将切换到关断状态，阻止电流流动。